Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Учёные создали новый транзистор, способный хранить тысячи устойчивых состояний

| 81

Изображение сгенерировано: Nano Banana

 

Инженеры из Нанкинского университета аэронавтики и астронавтики (Китай) разработали уникальный ферроэлектрический транзистор толщиной в несколько атомов. В устройстве используются слоистые материалы — графен и гексагональный нитрид бора (hBN), которые образуют характерный мозаичный (моаре) рисунок.

Главная особенность — возможность хранить 3 024 различных состояния поляризации, что на два порядка больше, чем у предыдущих аналогов. Это достигается за счёт скольжения слоёв относительно друг друга и точного управления электрическими импульсами.

Транзистор показал стабильность состояний более 100 000 секунд и успешно прошёл тесты на выполнение ИИ-задач: при распознавании изображений точность достигла 93%. Устройство работает при комнатной и повышенной температуре, а его простая структура облегчает масштабирование.

Такие транзисторы могут стать основой для энергоэффективных нейроморфных чипов, имитирующих работу мозга, и новых типов памяти. В будущем команда планирует довести технологию до масштабного производства и повысить скорость отклика.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2026/02/19/uchjonye-sozdali-novyj-tranzistor-sposobnyj-hranit-tysjachi-ustojchivyh-sostojanij.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей