Текущий кризис памяти — следствие сговора Samsung, Hynix и Micron? Против компаний подали коллективный иск

Фото WCCF Tech

Текущий кризис памяти может как минимум отчасти быть следствием сговора между компаниями, производящими эту самую память. Так утверждается в коллективном иске, который подали в Калифорнии 25 июня.

В рамках иска в сговоре обвиняются Samsung, Hynix и Micron, которые втроём удерживают около 85-90% всего рынка памяти DRAM и NAND.

В иске утверждается, что эта троица использовала свое лидирующее положение на мировом для осуществления скоординированного перехода к памяти HBM, которая критически важна для ИИ-ускорителей. Якобы, компании использовали соответствующую перестройку своих бизнесов в качестве предлога для сокращения производства памяти DDR.

Важно отметить, что в прошлом нечто подобное уже имело место. В частности, Samsung и Hynix уже признавали себя виновными по уголовным обвинениям в ценовом сговоре в 2000-х годах, в результате чего несколько руководителей были оштрафованы на 731 млн долларов и приговорены к тюремному заключению, а Micron избежала наказания, так как пошла на сделку со следствием.

Источник: https://www.ixbt.com/news/2026/06/30/samsung-hynix-micron.html