Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

И снова Samsung впереди всех. Компания первой приступила к массовому производству флеш-памяти V-NAND девятого поколения. Это микросхемы TLC ёмкостью 1 Тбит

| 295

Samsung Electronics объявила о том, что первой на рынке запустила производство флеш-памяти V-NAND девятого поколения. 

В данном случае речь о памяти TLC ёмкостью в 1 Тбит. Вероятно, это новая 290-слойная память, но в пресс-релизе Samsung об этом не говорит. 

Относительно памяти V-NAND восьмого поколения в новой памяти на 50% повышена плотность битов. V-NAND девятого поколения оснащена интерфейсом нового поколения под названием Toggle 5.1, который поддерживает на 33% увеличенную скорость ввода/вывода данных. Теперь речь о скорости 3,2 Гбит/с. Также компания говорит о 10-процентном снижении энергопотребления.  

Компания отмечает, что во второй половине года начнёт массовое производство такой же памяти, но типа QLC.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2024/04/23/samsung-v-nand-tlc-1.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей